каким транзистором можно заменить кт315

Транзистор КТ315. Чем заменить? Есть ли зарубежные (импортные) аналоги?

Где найти импортный аналог отечественного транзистора КТ315?

Есть ли зарубежные транзисторы, похожие по характеристикам. Чем можно заменить КТ315 и как происходит замена?

Можно ли КТ315 заменить транзисторами КТ3102 или КТ503?

Подойдет ли для замены импортный BC847B?

КТ315 — это отечественный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор, который имеет небольшую мощность, n-p-n-проводимость. Он является одним из самых популярных, наиболее часто используемых в отечественной радиоэлектронной аппаратуре.

Если говорить про зарубежные аналоги, то это

2SC634, BFP722; КТ315Б=2SC633, 2N2712, BFP720; КТ315В=BFP721; КТ315А=BFP719.

Решение про замену транзистора принимайте после сравнения их характеристик, а также учитывайте схему и режим работы вашего прибора.

хотя у всех из них показатель хоть и не сильно но отличаються то необходимо в каждом конкретном случае подбирать аналог индивидуально под прибор. Сдругой стороны какой смысл заморачиваться если купить данный транзистор b772 не состовляет проблем, он не являеться дефицитной деталью.

Зарубежные аналоги этого транзистора следующие :

Из отечественных транзисторов с одинаковыми характеристиками на с граничной частотой усиления 2 0

На своём примере популярно объясню, что нужная схема для одних окажется абсолютно ненужной для других. Я давно собрал электромузыкальный инструмент, где транзисторов КТ315 используется 120 штук! Но для Вас эта схема наверняка не представит никакого интереса, как и электромузыкальный инструмент.

Поэтому Вы хотя бы написали в вопросе: а какие именно схемы и устройства Вы считаете нужными для себя?

Вот один товарищ собрал простейший усилитель на транзисторе КТ315 (привожу видеоролик). Видимо, ему нужен такой усилитель. А мне он и даром не нужен.

Поэтому лучше набрать в поисковике фразу «схемы на транзисторе КТ315», посмотреть их и выбрать что-то нужное для себя.

Источник

Транзистор КТ315

КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).

Предназначение

Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

Корпус, цоколевка и размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр	Мощность рассеивания,	Напряжение коллектор-эмиттер,	Напряжение коллектор-база,	Напряжение база-эмиттер,	Ток коллектора постоянный,	Температура п/п перехода,	Диапазон температур внешней среды
Обозначение/Тип	P_C, Вт	U_CE, В	U_CB, В	U_BE, В	I_C, А	T_J, °С	°С
КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120
КТ315А1	0,15	25	25	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Б1	0,15	20	20	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315В1	0,15	40	40	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Г1	0,15	35	35	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Д1	0,15	40	40	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Е	0,15	35	35	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Е1	0,15	35	35	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	-60°С…+100°С
КТ315Ж1	0,1	20	20	6	0,05	120	-45°С…+100°С
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	-60°С…+100°С
КТ315И1	0,1	60	60	6	0,05	120	-45°С…+100°С
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	-45°С…+100°С

Электрические параметры

Параметр	Ток коллектора выключения	Ток эмиттера выключения	Статический коэффициент усиления	Напряжение насыщения	Напряжение насыщения	Частота среза	Емкость коллектора	Пост. времени коллектор-ной цепи
Обозначение	I_CBO, мкА	I_EBO, мкА	h_FE	U_CE(sat), В	U_BE(sat), В	f_T, МГц	пФ	пс
Режим/Тип	U_CB = 10 В I_E = 0	U_BE = 6 В	U_CB = 10 В I_E = 1 мА	I_C = 20 мА I_B = 2 мА	I_C = 20 мА I_B = 2 мА	U_CE = 10 В I_E = 5 мА	U_CB = 10В	U_CB = 10 В I_E = 5 мА f = 5 МГц
КТ315А	1	30	20…90	0,4	1,1	7	˂ 300
КТ315А1	0,5	30	0,4	1	˃ 250	7
КТ315Б	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Б1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315В	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315В1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Г	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Г1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Д	1	30	20…90	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Д1	0,6	30	20…90	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Е	1	30	50…350	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Е1	0,6	30	50…350	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Ж	1	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	˂ 1000
КТ315Ж1	0,6	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	300…1000
КТ315И	1	50	˃ 30	—	—	˃ 250	—	—
КТ315И1	0,6	50	˃ 30	0,9	1,35	˃ 250	10	300…1000
КТ315Н1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Р1	0,5	3	150…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
КТ315, КТ315-1	0,15	6	0,1	120	250	7
КТ3151 A9/B9/D9/E9/G9/V9	0,2	20…80	20…80	5	0,1	175	100	15	20…80	SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A9	0,15	60	50	5	0,4	150	250	4,5	100…300	SOT23 (КТ-46А)
КТ3102	0,25	20…50	20…50	5	0,2	125	—	6	100…1000	TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP719 ٭	0,15	25	25	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP720 ٭	0,15	20	20	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP721 ٭	0,15	40	40	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
2SC641	0,1	40	15	5	0,1	150	400	6	45…160	TO-92
КТ315Е	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
2N3397	0,36	25	25	5	0,1	150	—	10	55…800	TO-92
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	250	7	30…250	КТ13
2SC545	0,12	20	20	4	0,03	125	175	—	60	TO-92
2SC546	0,12	30	30	4	0,03	125	300	—	40	TO-92
BFY37i	0,15	25	20	5	0,1	175	270	2,3	˃ 35	TO-18
2SC388	0,3	30	25	4	0,05	150	300	2	20…200	TO-92
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	250	—	˃ 30	КТ13
2SC634	0,18	40	40	—	0,1	125	140	4,5	—
2SC9014	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60	TO-92
BC547	0,5	50	50	6	0,1	150	300	6	110	TO-92
2N3904	0,31	60	40	6	0,2	135	300	4	40	TO-92
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	TO-92
2SC633	0,3	26	26	6	0,2	125	112	7	TO-92
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	150…350	TO-92
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE₍_sat₎ от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера I_E при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении U_CE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τ_С [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера I_E = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Источник

Каким транзистором можно заменить кт315

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ315 (техническое описание на него) и КТ315-1 (комплементарная им пара КТ361, КТ361-1, а также КТ361-2 и КТ361-3). Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ315 и КТ315-1 выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ315 изготавливается в корпусе КТ-13. В последствии КТ315 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO-92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную «1» в обозначении, например КТ315Г1. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. Транзисторы KT315H и КТ315Н1 предназначены для применения в цветном телевидении. Транзисторы KT315P и КТ315Р1 предназначены для применения в видеомагнитофоне «Электроника — ВМ». Транзисторы изготавливают в климатическом исполнении УХЛ и в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

КТ315 выпускался предприятиями: «Электроприбор» г. Фрязино, «Квазар» г. Киев, «Континент» г. Зеленодольск, «Кварцит» г. Орджоникидзе, ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, ПО «Электроника» г. Воронеж, в 1970 г. их производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI.

В результате переговоров в 1970 году Воронежским объединением «Электроника» в плане сотрудничества было передано в Польшу производство транзисторов КТ315. Для этого в Воронеже полностью демонтировали цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих переправили, смонтировали и запустили его в Варшаве. Этот научно производственный центр по электронике, созданный в 1970 году был производителем полупроводников в Польше. Unitra CEMI в конечном итоге обанкротилась в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. Сайт музей предприятия Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/. К концу существования СССР общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск по техническим условиям ЖК3.365.200ТУ/04 (справочный лист на него), завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск по техническим условиям ЖКЗ.365.200ТУ/02 (справочный лист на него), АО «Элекс» г. Александров Владимирская область.

Пример обозначения транзисторов КТ315 при заказе и в конструкторской документации другой продукции: «Транзистор КТ315А ЖК3.365.200ТУ/05», для транзисторов КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК3.365.200ТУ/02».

Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1 представлены в таблице 1. Также приведены варианты 3D моделей корпусов КТ-13 и КТ-26 (ТО-92) транзисторов в формате STEP, которые можно скачать и использовать независимо от типа транзистора. При необходимости использования транзистора КТ315 в САПР при проектировании, каких либо устройств, можно скачать интегрированную библиотеку для Altium Designer. В ней имеется не только вся необходимая информация о КТ315 для создания электрических схем и печатных плат (УГО, 3D модели с вариантами формовки выводов и посадочных мест), но и масса вспомогательной информации, а именно: электрические, механические и климатические параметры транзисторов, справочные листы, действующие производители и много другой необходимой информации ускоряющей процесс проектирования.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип	Структура	P_{К max}, мВт	f_гр, МГц	U_КЭmax, В	I_{К max}, мА	h_21Э	C_К, пФ	r_{КЭ нас}, Ом	r_б, Ом	Библиотека Altium Designer
KT315A	n-p-n	150	250	25	100	30-120	≤7	≤20	≤40	КТ315
KT315Б	n-p-n	150	250	20	100	50-350	≤7	≤20	≤40
KT315В	n-p-n	150	250	40	100	30-120	≤7	≤20	≤40
KT315Г	n-p-n	150	250	35	100	50-350	≤7	≤20	≤40
KT315Д	n-p-n	150	250	40	100	20-90	≤7	≤20	≤40
KT315Е	n-p-n	150	250	35	100	50-350	≤7	≤20	≤40
KT315Ж	n-p-n	100	250	15	100	30-250	≤7	≤20	≤40
KT315И	n-p-n	100	250	60	100	≥30	≤7	≤20	≤40
KT315Н	n-p-n	150	250	20	100	50-350	≤7	–	–
KT315Р	n-p-n	150	250	35	100	150-350	≤7	–	–
КТ315А1	n-p-n	150	250	25	100	30-120	≤7	≤20	≤40
КТ315Б1	n-p-n	150	250	20	100	50-350	≤7	≤20	≤40
КТ315В1	n-p-n	150	250	40	100	30-120	≤7	≤20	≤40
КТ315Г1	n-p-n	150	250	35	100	50-350	≤7	≤20	≤40
КТ315Д1	n-p-n	150	250	40	100	20-90	≤7	≤30	≤40
КТ315Е1	n-p-n	150	250	35	100	50-350	≤7	≤30	≤40
КТ315Ж1	n-p-n	100	250	20	50	30-250	≤7	≤25	–
КТ315И1	n-p-n	100	250	60	50	≥30	≤7	≤45	–
КТ315Н1	n-p-n	150	250	35	100	50-350	≤7	≤5,5	–
КТ315Р1	n-p-n	150	250	35	100	150-350	≤7	≤20	–

Габариты транзистора КТ315

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1). Транзисторы КТ315 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315

Габариты транзистора КТ315-1

Тип корпуса транзистора КТ-26. Масса одного транзистора не более 0,3 г. Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 2 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы КТ315-1 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315-1 приведены на рисунке 2.

Рисунок 2 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315-1

Цоколевка транзисторов

Если расположить транзистор КТ315 маркировкой от себя (как показано на рисунке 1) выводами вниз, то левый вывод это база, центральный – коллектор, а правый – эмиттер.

Если расположить транзистор КТ315-1 наоборот маркировкой к себе (как показано на рисунке 2) выводами также вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный – коллектор, а правый – база.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g );
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3. Техническую информацию (datasheet) на зарубежные аналоги транзистора КТ315 также можно скачать в таблице ниже. Указанные ниже цены соответствуют состоянию на 08.2018 года.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А	BFP719	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б	BFP720	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315В	BFP721	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д	2SC641	есть	Hitachi	Япония
КТ315Е	2N3397	есть

4$ Central Semiconductor США КТ315Ж 2N2711 есть

9$ Sprague electric corp. США BFY37, BFY37i есть ITT Intermetall GmbH Германия КТ315И 2SC634 есть

16$ New Jersey Semiconductor США есть Sony Япония КТ315Н 2SC633 есть

1$ Sony Япония КТ315Р BFP722 нет Unitra CEMI Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Основные технические характеристики

Основные электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке приведены в таблице 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора приведены в таблице 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ315 приведены на рисунках 3 – 8. Зависимости электрических параметров транзисторов КТ315 от режимов и условий их эксплуатации представлены на рисунках 9 – 19.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения	Буквенное обозначение	Норма параметра		Температура, °С
не менее	не более
Граничное напряжение (I_C=10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U_(CEO)	15 30 25	–	25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (I_C=20 мA, I_B=2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U_CEsat	–

0,4
0,6
0,5
0,9 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(I_C=70 мA, I_B=3,5 мА), В КТ315Н U_CEsat – 0,4 Напряжение насыщения база-эмиттер
(I_C=20 мА, I_B=2 мА), В
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P
КТ315Д, КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И U_BEsat –

30
50
20
30
30
150

120
350
90
250
–
350 25 Статический коэффициент передачи тока
(U_CB = 10 В, I_E= 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Р h_21E

30
50
20
30
30
150

250
700
250
400
–
700 100 Статический коэффициент передачи тока
(U_CB = 10 В, I_E= 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Р h_21E

120
350
90
250
–
350 -60 Модуль коэффициента передачи тока
на высокой частоте (U_CB = 10 В, I_E= 5 мА, f = 100 МГц) |h_21E| 2,5 – 25 Емкость коллекторного перехода
(UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ C_C – 7 25

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (R_BE = 10 кОм), В 1)	U_CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	U_{CES max}	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	U_{CB max}	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	U_{EB max}	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	I_{C max}	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	P_{C max}	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	t_{j max}	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При t_атв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С P_C _max рассчитывается по формуле:

где R_t _hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при U_CE = 0, t_атв = (25±10) °С Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при t_атв = (25±10) °С Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при I_C/I_B = 10, t_атв = (25±10) °С Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при U_CB = 10, t_атв = (25±10) °С Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при U_CB = 10, f = 100 МГц, t_атв = (25±10) °С Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I_E = 5 мА, t_атв = (25±10) °С для КТ315 Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при U_CB = 10 В, f = 5 МГц, t_атв = (25±10) °С для КТ315

При рабочих токах менее 5 ма коэффициент усиления у транзисторов КТ315 и КТ361 резко падает, и эффективность использования характеристик транзисторов снижается.

Добрый день! Спасибо за очень подробную информацию о транзисторе кт315. На мой взгляд ваш сай дает самую актуальную и полную информацию по этой теме во всем рунете. Спасибо за проделанную работу.

Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

Не видно обозначений по оси ординат, а так — очень качественный материал!

Источник