Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2N5551.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N5551.
Можно попробовать заменить транзистор 2N5551
транзистором 2N5175;
транзистором 2N5550;
транзистором BFQ22;
транзистором ECG194;
транзистором LBC546B;
транзистором BC445;
транзистором BC537-16;
транзистором BC449-5;
транзистором BC449-18;
транзистором BC449A;
транзистором BC537-10;
транзистором BC447B;
транзистором BC447A;
транзистором BC447-5;
Коллективный разум.
дата записи: 2016-03-08 11:17:56
дата записи: 2019-02-05 23:31:25
дата записи: 2019-05-03 11:36:01
дата записи: 2020-02-01 18:10:14
дата записи: 2020-12-07 03:42:13
Добавить аналог транзистора 2N5551.
Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N5551? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Транзистор 2n5551: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить
Аналоги транзистора 2n5551:
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2N5551 | Si | NPN | 0.31 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 135,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| 2N5551C | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 300,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| 2N5551CN | Si | NPN | 0.4 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 150,00 | 3,00 | 80,00 | TO92N |
| 2N5551G | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 SOT89 |
| 2N5551K | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| 2N5551N | Si | NPN | 0.4 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 150,00 | 3,00 | 80,00 | TO92N |
| 2SC6136 | Si | NPN | 0.5 | 600,00 | 285,00 | 8,00 | 0.7 | 150,00 | 100,00 | TO92 | ||
| 2SD1701 | Si | NPN | 0.75 | 1700,00 | 0.8 | 150,00 | 10000,00 | TO92 | ||||
| BTN5551K3 | Si | NPN | 0.9 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 100,00 | TO92L |
| ECG194 | Si | NPN | 0.35 | 180,00 | 160,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 100,00 | TO92 | ||
| H2N5551 | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| H5551 | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 80,00 | TO92 | |
| HEPS0005 | Si | NPN | 0.31 | 180,00 | 160,00 | 0.6 | 150,00 | 200,00 | 160,00 | TO92 |
Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5551
Наиболее важные параметры.
Комплементарная пара
Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.
Маркировка
Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.
Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.
Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.
Характеристики основных аналогов
Наименование производителя: 2N5551
Наименование производителя: 2N5551C
Наименование производителя: 2N5551CN
Наименование производителя: 2N5551G
Характеристики транзистора 2N5551
2n5551– биполярный, n-p-n, высокочастотный кремниевый транзистор средней рассеиваемой мощности. Предназначен для усилителей работающих с высоким напряжением, драйверов газоразрядных дисплеев, а так же может использоваться в кочевом режиме. Применяется в работе низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.
Распиновка транзистора 2n5551
Данное устройство производится в двух типах корпусов ТО-92 (2n5551) и SOT-23 (MMBT5551). В корпусе ТО-92 имеет следующий вид:
Цоколевка в корпусе SOT-23 (MMBT5551) такая:
Основные технические характеристики 2n5551
При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:
MMBT5551 — это точная копия по параметрам транзистора 2N5551 в корпусе SOT-23
Классификация по hFE
Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.
Комплементарная пара
Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.
Маркировка
Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.
При маркировке транзистора некоторые производители на его корпусе иногда указывают только последние четыре цифры 5551.
Аналоги
Международный эквивалент, незначительно отличающийся по параметрам 2n5550. На отечественном рынке представлено российский аналог КТ6117.
Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.
Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.
Как безопасно работать в цепи?
При покупке убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Иногда достаточно подобрать аналог для работы Вашего устройства. Чтобы безопасно запустить этот транзистор в Вашей схеме, не эксплуатируйте его с напряжением выше 160 В и нагрузкой более 600 мА. Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте нагрев более 150 и менее минус 60 °С.
Транзистор 2N5551
2N5551 — Кремниевый, NPN, высоковольтный усилительный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – TO-92 и SMD (SOT-23 и др.).
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Переключающие и усилительные схемы в высоковольтных приложениях (например, телефония или драйверы газоразрядных приборов).
Характерные особенности
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина | |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 180 | |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 160 | |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 6 | |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 0,6 | |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт | TO-92 | PC | 0,625 |
| PC | 0,35 | ||
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | ||
| Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт | TO-92 | 83,3 | |
| SOT-23 | — | ||
| Тепловое сопротивление p-n переход – внешняя среда, °С/Вт | TO-92 | RƟJA | 200 |
| SOT-23 | 357 | ||
٭ — транзистор 2N5551 в корпусе SOT-23 по каталогу имеет обозначение MMBT5551 (по даташит компании “Fairchild”).
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 1 мкА, IE = 0 | ≥ 180 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 1,0 мА, IB = 0 | ≥ 160 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 10,0 мкА, IC = 0 | ≥ 6 |
| Ток коллектора выключения, | ICBO (1), нА | UCB = 120 В, IE = 0 | ≤ 50 |
| ICBO (2), мкА | ≤ 50 | ||
| Ток эмиттера выключения, нА | IEBO | UEB = 4,0 В, IC = 0 | ≤ 50 |
| Характеристики включенного состояния | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) (1) | IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА | ≤ 0,15 |
| UCE(sat) (2) | IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА | ≤ 0,20 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) (1) | IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА | ≤ 1,0 |
| UBE(sat) (2) | IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА | ≤ 1,0 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 мА | ≥ 80 |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА | 80…250 | |
| hFE (3) | UCE = 5,0 В, IC = 50,0 мА | ≥ 30 | |
| Характеристики работы в режиме малого сигнала | |||
| Граничная частота усиления (частота среза), МГц | fT | IC = 10 мА, UCE = 10 В, f = 100 МГц | 100…300 |
| Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 6 |
| Входная емкость (базового перехода), пФ | Cib | UBE = 0,5 В, IE = 0, f = 1 МГц | 20 |
| Коэффициент усиления для малого сигнала | hfe | IC = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1 кГц | 50…250 |
| Коэффициент шума | NF | IC = 250 мкА, UCE = 5 В, RS = 1 кОм, f = 10 Гц…15,7 кГц | ≤ 8 |
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 6 | 8 | TO-92 | ||||
| 2N5551C | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551CN | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551CSM | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | LCC1 ٭ | |
| 0,35 | — | 160 | — | 0,6 | — | 80 | 100 | — | — | — | LCC2 ٭ | Тот же MO-041BB | |
| 2N5551G | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551G | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | SOT-89 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551HR | 0,36 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | TO-18 | |
| 2N5551HR | 0,58 | 180 | 160 | 6 | 0,5 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | ||
| 2N5551K | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-300 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551N | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551S | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: ZF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 100-300 | — | — | — | SOT-23(1) | ||
| BTN5551K3 | 0,9 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | ≥ 50 | ≥ 100 | 6 | — | — | TO-92L | |
| H2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-400 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/N/C |
| H5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-280 | 100-300 | — | — | — | TO-92 | |
| 2N5551SQ | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | — | — | SOT-89 | |
| MMBT5551 | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: 3S |
٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.
Примечание: параметр hFE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. hfe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.
Отечественно производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 6 | 8 | TO-92 | |||||
| КТ6117А | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-250 | 100 | 6 | — | — | КТ-26 | |
| КТ6127И | 0,6 | — | 160 | 4 | 2 | 150 | ≥ 30 | ≥ 150 | 74 | — | — | КТ-26 | Тот же TO-92 |
| КТ6127К | 0,6 | — | 200 | 4 | 2 | 150 | ≥ 30 | ≥ 150 | 74 | — | — | КТ-26 | Тот же TO-92 |
| КТ683А | 1,2 | 150 | 150 | 7 | 1 | 150 | 40-120 | 50 | 15 | — | — |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 6 | 8 | TO-92 | ||||
| 2N5550 | 0,625 | 160 | 140 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100-300 | 6 | 10 | 50-200 | TO-92 |
| 2N5175 | 0,2 | 130 | 100 | 5 | ||||||||
| 2SC6136 | 0,5 | 600 | 285 | 8 | 0,7 | 150 | 60-200 | — | — | — | — | TO-92 |
| 2SD1701 | 0,75 | 1700 | — | 8 | 0,8 | 150 | 10000 | — | — | — | — | TO-92 |
| ECG194 | 0,35 | 180 | 160 | — | 0,6 | 150 | 100 | 100 | — | — | — | TO-92 |
| HEPS0005 | 0,31 | 180 | 160 | — | 0,6 | 150 | 160 | 200 | — | — | — | TO-92 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В при различных значениях температуры среды Ta.
Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах среды.
Соотношение токов IC / IB = β = 10.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах среды.
Соотношение токов IC / IB = β = 10.
Рис. 4. Входная характеристика транзистора: зависимость между напряжением база-эмиттер UBE и током коллектора IC.
Характеристика снята при разных температурах среды и коллекторном напряжении UCE = 5 В.
Рис. 5. Влияние температуры внешней среды Ta на величину коллекторного тока выключения транзистора ICBO.
Характеристика снята при напряжении коллектор-база UCB = 100 В.
Рис. 6. Зависимости входной Сib и выходной емкости Ccb от величины обратного напряжения UCE коллектор-эмиттер.
Характеристика при частоте сигнала f = 1 МГц.
Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления в режиме малого сигнала hfe от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В на частоте 20 МГц.
Рис. 8. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при возрастании температуры корпуса TC.
Характеристика дана для двух разных конструктивных исполнений: TO-92 и SOT-23.
Подскажите Аналог 2N5551 В Sot-323?
Автор Гость 0867532,
17 августа, 2013 в Песочница (Q&A)
Рекомендуемые сообщения
Присоединяйтесь к обсуждению
Вы публикуете как гость. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.
Последние посетители 0 пользователей онлайн
Объявления
Сообщения
Похожий контент
Приветствую уважаемые дамы и господа!
Занимаюсь разработкой носимого устройства с целью исследования технологий LoRaWAN и BLE 5.0. А также поработать с энергоэффективными режимами работы МК STM32L4-серии.
Исходные данные:
Суть моего вопроса:
Если присутствует напряжение VBUS (USB), то необходимо выключать преобразователь D5 сигналом LM3671_BAT, но включать D4 сигналом LM3671_USB.
Таким образом получается, что аккумулятор будет заряжаться, а питаться прибор будет от USB.
Мои предположения, рассуждения и решения которые я вижу:
Если управлять преобразователями при помощи GPIO портов МК, то получится, что как только питание по USB отключится, то прибор выключится быстрее, чем успеет включиться преобразователь работающий от VBAT, ввиду чего я такое решение и отмёл. Использовать небольшую схемку на двух полевых транзисторах в одном корпусе (p и n типа). В симуляторе вроде как всё работает, но вероятно может произойти та же ситуация, что и в случае 1;
Использовать микросхему выполняющую данную задачу, но тут играет роль, что достать её сложно, стоит 7$ и выглядит как overkill для такой простой задачи. Покидайтесь, пожалуйста, камнями и критикой решений, своими вариантами решения задачи или же исправлениями к приложенным схемам.
————————————————————————————————————————————————————————————-
Если вдруг кого-то заинтересует,
то вот ссылка на GitHub проекта,
а так же ссылка на GitHub библиотеки.
Используются шрифты T-Flex GOST, можно получить по ссылке.
Распродаю остатки ( по мере поступления) радиодеталей, трансформаторов и много разных комплектующих от приборов и р/техники (б/у и новое).
1. Трансформатор для инвертора портативных LCD телевизоров (типа Super) «129A1″(б/у, но в работе не были, только демонтированны).
