Транзистор 9013 чем заменить

Транзистор S9013

Биполярный кремниевый транзистор S9013 обратной проводимости (структура n-p-n) выпускается по эпитаксиально-планарной технологии в пластиковом корпусе ТО-92. Он имеет цилиндрическую форму с размерами не более 5мм в любой плоскости. Производитель наносит маркировку о марке полупроводникового элемента и дате выпуска на технологическую плоскую поверхность, расположенную на лицевой стороне корпуса.

Цоколевка

В нижнем торце располагаются три вывода. Если смотреть на маркировку, то слева направо: эмиттер, база, коллектор.

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт. Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц.

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Характеристики (предельные значения)

Параметр Обозначение Максимальное значение
Напряжение коллектор-база VCBO 40В
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 20В
Напряжение эмиттер-база VEBO
Ток коллектор IC 0,5А
Постоянная рассеиваемая мощность PС 0,63Вт
Температурный диапазон Tmin-max от −55 до 150 град. Цельсия
Напряжение пробоя коллектор-база BVCBO 40В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO 20В
Напряжение пробоя эмиттер-база BVEBO
Обратный ток коллектора ICBO 100нА
Обратный ток эмиттера IEBO 100нА
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА) hFE1 от 64 до 202,
тип. 120
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА) hFE2 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (нас) 0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE (нас) 1,2В
Напряжение база-эмиттер VBE (on) 0,7В

Классификация по величине hFE

Производители выпускают 5 модификаций транзистора. Между собой они отличаются диапазоном коэффициента усиления по току. Каждому типу присваивается латинская буква, которая добавляется в маркировке после основных цифр 9013. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

Типы D E F G H
hFE1 64

Маркировка и параметры

Тип Pc Ucb Uce Ueb Tj Cc Ic hfe ft Корпус
CS9013 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 1 A 64 200 MHz TO-92
CS9013D 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
CS9013E 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 78 200 MHz TO-92
CS9013F 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 96 200 MHz TO-92
CS9013G 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 118 200 MHz TO-92
CS9013H 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 144 200 MHz TO-92
CS9013I 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 180 200 MHz TO-92
FCS9013 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
FCS9013D 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
FCS9013E 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 78 200 MHz TO-92
FCS9013F 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 96 200 MHz TO-92
FCS9013G 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 118 200 MHz TO-92
FCS9013H 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 144 200 MHz TO-92
FCS9013I 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 180 200 MHz TO-92
GS9013 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 1 A 64 200 MHz TO-92
GS9013D 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
GS9013E 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 78 200 MHz TO-92
GS9013F 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 96 200 MHz TO-92
GS9013G 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 118 200 MHz TO-92
GS9013H 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 144 200 MHz TO-92
GS9013I 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 180 200 MHz TO-92
S9013H 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 144 150 MHz TO-92
S9013I 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 190 150 MHz TO-92
S9013LT1 0.225 W 40 V 20 V 5 V 150 °C 0.5 A 100 SOT23
S9013T 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 64 150 MHz TO-92
S9013W 0.2 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 8 pf 0.5 A 120 150 MHz SOT323
SS9013 0.625 W 40 V 20 V 150 °C 0.5 A 64 TO-92
STS9013 0.625 W 40 V 30 V 5 V 150 °C 7 pf 0.5 A 96 140 MHz TO-92

Аналоги и комплементарная пара

Аналог VCEO IC PC hFE fT
S9013 25 0,5 0,625 64 150
Отечественное производство
КТ315Г 35 0,1 0,15 50 250
КТ3102А 50 0,1 0,25 100 150
КТ680А 25 0,6 0,35 85 120
Импорт
2SC1008 60 0,75 0,75 60 100
BC537 60 1 0,625 50 120
BC538 80 1 0,625 50 120
KSC1008 60 0,7 0,8 40 30
KSC1009 140 0,7 0,8 40 30
KSP05 60 0,5 0,625 50 100
KSP06 80 0,5 0,625 50 100
KSP42 300 0,5 0,625 40 50
KSP43 200 0,5 0,625 40 50
MPS6532 30 0,6 0,31 30 200
MPSA42 300 0,5 0,625 25 50
MPSA43 200 0,5 0,625 25 50
MPSW01A 40 1 1 50 50
MPSW01AG 50 1 1 60 50
MPSW05 60 0,5 1 60 50
MPSW05G 60 0,5 1 60 50
MPSW06 80 0,5 1 80 50
MPSW06G 80 0,5 1 60 50
MPSW42 300 0,5 1 40 50
MPSW42G 300 0,5 1 40 50

Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.

Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.

Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.

Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.

Источник

Характеристики транзистора S9013

Согласно техническим характеристикам биполярный транзистор S9013 – является высокочастотным и имеет n-p-n структуру. Он достаточно мощный (625 мВт), выдерживает большой коллекторный ток (500 мА) и имеет неплохую линейность к-та усиления hfe. Его часто используют в выходных каскадах УНЧ и портативных радиостанциях. Реже его можно встретить в ключевых схемах. Изготавливают его по эпитаксиально-планарной технологии.

Цоколевка

S9013 изготавливается в двух исполнениях: в пластиковом корпусе ТО-92, имеющем гибкие выводы – для дырочного, и в SOT-23 для поверхностного монтажа. В первом варианте (ТО-92) выводы расположены в следующем порядке: эмиттер, база и коллектор. Внешний вид транзистора приведён на рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики транзистора S9013. При их превышении транзистор выйдет из строя. Они были измерены при температуре +25°С и представлены ниже в списке:

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров S9013. Они также важны, так как от них тоже зависят возможности транзистора. Их тестирование проводилось при температуре +25°С. Остальные параметры измерения можно найти в колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора S9013 (при Т = +25°C)
Параметры Обозн. Условия измерения min typ max Ед. изм
Пробивное напряжение К –Э Uкэ(проб.) (V (BR)CBO ) IК = 100 мкA, IЭ=0 40 В
Пробивное напряжение К – Б Uкб(проб.) (V (BR)CЕO ) IК= 1 мA, IЭ=0 25 В
Пробивное напряжение Э – Б Uэб(проб.) (V (BR)ЕВO ) IЭ=100 мкA, IК=0 5 В
Обратный ток К — Б Iкбо (ICBO) Uкб = 40 В, IЭ = 0 0,1 мкА
Обратный ток К — Э Iкэо (ICЕO) Uкб = 20 В, IЭ = 0 0,1 мкА
Обратный ток эмиттера Iэбо (IЕВO) Uэб= 5 В, IК=0 0,1 мкА
Статический к-т передачи тока h21э IК= 50 мA, Uкэ= 1 В 64
IК= 500 мA, Uкэ= 1 В 40
Напряжение насыщения К — Э Uкэ(нас.) (VCE(sat)) IК= 500 мA, IБ= 50 мA 0,6 В
Напряжение насыщения Б — Э Uбэ(нас.) (VВE(sat)) IК= 500 мA, IБ= 50 мA 1,2 В
Граничная частота к-та передачи тока fгр Uкэ= 6 B,IК= 20 мA 150 МГц

Кроме этого, производители дополнительно делят транзисторы S9013 на семь классов, в зависимости от статического к-та усиление по току (hfe):

Аналоги

Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:

При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.

Производители и Datasheet S9013

Производством занимаются такие фирмы:

На российском рынке представлены следующие производители данного изделия:

Источник

Транзистор S9013 (C9013)

Согласно своим техническим характеристикам, высокочастотный биполярный транзистор S9013 (c9013) отличается повышенной мощностью (до 625 мВт), большим коллекторным током (до 500 мА) и хорошей линейностью коэффициента Hfe. Поэтому он часто используется в выходных каскадах усилителей класса В (до 1 Вт) и портативных радиостанциях. Но, может применяться и в ключевых схемах. Этот эпитаксиально-планарный кремниевый полупроводниковый триод имеет структуру n-p-n.

Распиновка

Технические характеристики

Транзистор S9013 (ТО-92) имеет такие максимально допустимые технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 О С):

Устройства в корпусе SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания — до 300 мВт. Также стоит отметить, что параметр Uкэ max у современных производителей может немного отличатся на ± 5 В.

Электрические

Классификация

В зависимости от статического коэффициента передачи по току (hfe) при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА, рассматриваемое устройство подразделяют на семь классов: D (64-91); Е (78-112); F (96-135); G (112-166); H (144-202); I (190-300), J (300-400). Как видно из классификации, максимальным hfe обладают транзисторы S9013I и S9013J. В продаже наиболее чаще встречаются S9013H и S9013G, реже S9013D.

Аналоги

У транзистора S9013 отсутствуют полные аналоги. SS9013, C9013, MMBT9013, KTC9013 не в счёт, так как они фактически тоже самое, просто с другой маркировкой. На наш взгляд эта лучшая альтернатива рассматриваемому устройству. Но если таких нет, то можно использовать в качестве замены другие, например: S8050, 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т. д.

Символ «S», в начале обозначения, s9013 указывает на первого производителя этого транзистора — компанию Samsung Semiconductor.

Наиболее подходящим российским аналогом можно считать КТ530. Однако он имеет другую цоколевку (Э Б К), поэтому будьте внимательны при замене. В таком качестве можно рассмотреть также, незначительно отличающуюся по параметрам, отечественную серию КТ680.

Комплементарная пара

Рекомендуемой комплементарной парой, со структурой p-n-p, для рассматриваемого прибора является транзистор S9012.

Производители

На российском рынке представлены следующие производители данного изделия: Micro Commercial Components (MCC), Fairchild Semiconductor. Кликнув по наименованию производителя можно скачать datasheet от s9013. Его так же производят следующие компании: Daya Electric Group, Korea Elrctronics (KEC), Jiangsu Semiconductor, Unclassifed Manufacturers, NanjingGroup, Tiger Electronic (TGS), Diode Semiconductor, Dongguan Electronics, Guangdong Hottech Industrial, Jiangsu Electronics Technology, SeCoS Halbleitertechnologie, Sunmate Electronic и др.

Источник

Транзистор S9013: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Аналоги (замена) транзистора S9013:

Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Hfe Caps
2N4401SC Si NPN 0.35 75,00 40,00 6,00 0.6 150,00 250,00 150,00 SOT23
2SC1741AM Si NPN 0.3 50,00 50,00 5,00 0.5 150,00 250,00 120,00 SOT23
2SD1501 Si NPN 1,00 70,00 1,00 150,00 250,00 SOT23
2STR1160 Si NPN 0.5 60,00 60,00 5,00 1,00 150,00 250,00 SOT23
3DG1741AM Si NPN 0.3 50,00 50,00 5,00 0.5 150,00 250,00 120,00 SOT23
50C02CH-TL-E Si NPN 0.7 60,00 50,00 5,00 0.5 150,00 500,00 300,00 SOT23
8050HQLT1 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 1.5 150,00 150,00 SOT23
8050QLT1 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.8 150,00 150,00 SOT23
8050SLT1 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
BC817-25 Si NPN 0.31 50,00 45,00 5,00 0.5 150,00 200,00 160,00 SOT23
BC817-40 Si NPN 0.31 50,00 45,00 5,00 0.5 150,00 200,00 250,00 SOT23
BC817K-16 Si NPN 0.5 50,00 45,00 5,00 0.5 170,00 160,00 SOT23
BC817K-25 Si NPN 0.5 50,00 45,00 5,00 500,00 170,00 160,00 SOT23
BC817K-40 Si NPN 0.5 50,00 45,00 5,00 500,00 170,00 160,00 SOT23
BCV47 Si NPN 0.36 80,00 60,00 10,00 0.5 150,00 170,00 10000,00 SOT23
BCW66KG Si NPN 0.5 75,00 45,00 5,00 0.8 170,00 160,00 SOT23
BCW66KH Si NPN 0.5 75,00 45,00 5,00 0.8 170,00 250,00 SOT23
BSP52T1 Si NPN 1.5 100,00 80,00 5,00 0.5 150,00 150,00 5000,00 SOT23
BSP52T3 Si NPN 1.5 100,00 80,00 5,00 0.5 150,00 150,00 5000,00 SOT23
CD4024 Si NPN 90,00 36,00 12,00 175,00 175,00 SOT23
CHT9013GP Si NPN 0.3 45,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
CMPT3820 Si NPN 0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00 SOT23
CMPT491E Si NPN 0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00 SOT23
D965ASS Si NPN 0.75 40,00 30,00 7,00 5,00 150,00 150,00 230,00 SOT23
DNLS160 Si NPN 0.3 60,00 1,00 150,00 200,00 SOT23
DSS30101L Si NPN 0.6 30,00 1,00 250,00 300,00 SOT23
DTD163TA Si NPN 0.6 50,00 40,00 5,00 0.5 150,00 250,00 SOT23
DTD163TF Si NPN 0.3 50,00 40,00 5,00 0.5 150,00 250,00 SOT23
DTD163TL Si NPN 0.3 50,00 40,00 5,00 0.5 150,00 250,00 SOT23
DTD163TS Si NPN 0.3 50,00 40,00 5,00 0.5 150,00 250,00 SOT23
DTD163TV Si NPN 0.6 50,00 40,00 5,00 0.5 150,00 250,00 SOT23
F8050HPLG Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
FMMT2222AR Si NPN 0.33 75,00 40,00 6,00 0.6 150,00 300,00 120,00 SOT23
FMMT493A Si NPN 0.5 60,00 1,00 150,00 500,00 SOT23
FMMTL619 Si NPN 0.5 50,00 1.25 180,00 300,00 SOT23
KC817A-25 Si NPN 0.31 50,00 45,00 5,00 0.5 150,00 170,00 160,00 SOT23
KC817A-40 Si NPN 0.31 50,00 45,00 5,00 0.5 150,00 170,00 250,00 SOT23
KST8050S Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
KST9013 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
KST9013C Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 144,00 SOT23
KTC9013SC Si NPN 0.35 40,00 30,00 5,00 0.5 150,00 150,00 200,00 SOT23
MMBT8050D Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 200,00 SOT23
MMS8050-H Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 200,00 SOT23
MMS8050-L Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
MMS9013-H Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 200,00 SOT23
MMS9013-L Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
MPS8050SC Si NPN 0.35 40,00 25,00 5,00 1.2 150,00 150,00 200,00 SOT23
N0501S Si NPN 1,00 60,00 50,00 6,00 1,00 150,00 150,00 135,00 SOT23F
NSS40201L Si NPN 0.54 40,00 4,00 150,00 200,00 SOT23
NSS40201LT1G Si NPN 0.54 40,00 40,00 6,00 2,00 150,00 150,00 200,00 SOT23
NSS60201LT1G Si NPN 0.54 60,00 4,00 150,00 SOT23
NSV40201LT1G Si NPN 0.54 40,00 40,00 6,00 2,00 150,00 150,00 200,00 SOT23
PBSS4041NT Si NPN 0.3 60,00 60,00 5,00 3.8 150,00 175,00 300,00 SOT23
PBSS4140T Si NPN 0.3 40,00 40,00 5,00 1,00 150,00 150,00 300,00 SOT23
PBSS4160T Si NPN 0.3 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 250,00 SOT23
S8050 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
S8050LT1 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
S9013 Si NPN 0.3 40,00 25,00 5,00 0.5 150,00 150,00 120,00 SOT23
ZXTC2045E6 Si NPN*PNP 1.1 40,00 30,00 7,00 1.5 150,00 180,00 SOT236
ZXTN07045EFF Si NPN 1.5 45,00 4,00 150,00 400,00 SOT23F
ZXTN19100CFF Si NPN 1.5 100,00 4.5 150,00 200,00 SOT23F
ZXTN2040F Si NPN 0.35 40,00 1,00 150,00 300,00 SOT23
ZXTN25040DFH Si NPN 1.25 40,00 4,00 190,00 300,00 SOT23
ZXTN25040DFL Si NPN 0.35 40,00 1.5 190,00 300,00 SOT23
ZXTN25050DFH Si NPN 1.25 50,00 4,00 200,00 240,00 SOT23
ZXTN25100DFH Si NPN 1.25 100,00 2.5 175,00 300,00 SOT23
ZXTN649F Si NPN 0.5 25,00 3,00 200,00 SOT23

Биполярный транзистор S9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9013

Классификация по hFE

Транзисторы серии S9013 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S9013D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 64 до 91, S9013E — в диапазоне от 78 до 112, S9013F — в диапазоне от 96 до 135, S9013G — в диапазоне от 112 до 166, S9013H — в диапазоне от 144 до 202, S9013I — в диапазоне от 190 до 300.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для S9013 является транзистор S9012 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор S9013 можно заменить на 2SC1008, 2SC1009, BC537, BC538, KSC1008, KSC1009, KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, MPS6532, MPSA42, MPSA43, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, ZTX457

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N4401SC

Наименование производителя: 2SC1741AM

Наименование производителя: 2SD1501

Наименование производителя: 2STR1160

Наименование производителя: 3DG1741AM

Источник

Читайте также:  чем подкормить клубнику когда плодоносит
Портал про кино и шоу-биз