Транзистор b772. Чем заменить? Есть ли отечественный аналог?
Какие есть аналоги для замены транзистора NEC B772?
Какие есть аналоги нашего производства и какие зарубежные?
Как происходит замена биполярного транзистор B772? Какие есть советы?
Есть ли что-то подобное, эквивалентное, похожее на этот транзистор?
Можно ли заменить B772 на транзисторы КТ819В, КТ827, КТ825, КТ816?
На данный момент, к данному транзистору, очень тяжело найти отечественный аналог, так как, они имеют не очень похожую и хорошую проводимость.
Но, как показывает практика, их можно заменить, но, только если используя такие транзисторы, как: 2N4900, KT814Г, BD786, MJE170, 2SD882.
Это сокращенная маркировка транзистора 2SB772. У данного транзистора есть особенности, из-за которых для него сложно подобрать отечественный аналог. Это высокий коэффициент усиления, сравнительно низкое напряжение насыщения и довольно высокая граничная частота. Из отечественных транзисторов только КТ9176 близок к данному прибору, но имеет заметно меньшее усиление.
Эти изменения внесут в целом баланс транзистора. Так что это оптимальный вариант. Отечественный аналог можно поискать где-то на базаре сторожилы которые этим занимаются вам помогут обязательно, это в их же интересах.
Смотря на эти параметры могут подойти такие транзисторы: 2N4900, KT814Г, BD786, MJE170, 2SD882.
Решение про замену транзистора принимайте после сравнения их характеристик, а также учитывайте схему и режим работы вашего прибора.
хотя у всех из них показатель хоть и не сильно но отличаються то необходимо в каждом конкретном случае подбирать аналог индивидуально под прибор. Сдругой стороны какой смысл заморачиваться если купить данный транзистор b772 не состовляет проблем, он не являеться дефицитной деталью.
Транзистор C1815 имеет полное наименование по даташиту 2SC1815.
Зарубежные аналоги этого транзистора следующие:
Ближайший отечественный аналог транзистора 2SC1815, это транзисторы КТ3012А-Б. Но у наших транзисторов более лучшие характеристики по граничной частоте усиления. У КТ3102А-Б этот параметр составляет 2 0
На своём примере популярно объясню, что нужная схема для одних окажется абсолютно ненужной для других. Я давно собрал электромузыкальный инструмент, где транзисторов КТ315 используется 120 штук! Но для Вас эта схема наверняка не представит никакого интереса, как и электромузыкальный инструмент.
Поэтому Вы хотя бы написали в вопросе: а какие именно схемы и устройства Вы считаете нужными для себя?
Вот один товарищ собрал простейший усилитель на транзисторе КТ315 (привожу видеоролик). Видимо, ему нужен такой усилитель. А мне он и даром не нужен.
Поэтому лучше набрать в поисковике фразу «схемы на транзисторе КТ315», посмотреть их и выбрать что-то нужное для себя.
То, что нарисовал Спин, гарантировано приведёт к пожару. Ведь источник питания через включённый в прямом направлени и диод оказывается целиком подведённм к батарее, со всеми вытекающими последствиями. Поэтому вот ТАК включать НЕЛЬЗЯ.
В простейшем варианте диод надо включить последовательно с батареей, а не с проводом питания:
Однако и эта схема несовершенна. Она помогает от отсоединения внешнего источника (когда слева по рисунку оказывается обрыв провода), но бесполена и даже вредна, когда источник не отключается, но на нём падает напряжение. В этом случае через открытый (опять же) диод батарея будет работать и на нагрузку, и на полумёртвый источник.
Поэтому решением будет ДВА диода:
Официальной датой изобретения первого транзистора считается 1947 год. В те годы многие ученые работали в сфере полупроводниковой проводимости, в том числе и наши российские физики внесли свой неоценимый вклад в данное направление. Тем не менее создателями первого транзистора стали Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн.
Транзистор B772
B772 — Кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с PNP структурой.
Предназначение
Транзистор разработан для применения в выходных каскадах аудио усилителей мощности, преобразователях постоянного напряжения в постоянное, регуляторах напряжения и управляющих цепях релейных устройств.
Характерные особенности
Корпус и цоколевка
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.
٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.
В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.
Типовые термические характеристики для 2SB772/S/SS
| Характеристика | Корпус | Символ | Величина |
|---|---|---|---|
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 12,5 | |
| 12,5 | |||
| 25 | |||
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 104 | |
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 357 |
Электрические характеристики (при Ta = 25°C)
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения ٭ |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCE = 30 В, IE = 0 | ≤ 1,0 |
| Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА | ICEO | UCE = 30 В, IB = 0 | ≤ 1,0 |
| Ток базы выключения, мкА | IEBO | UBE = 3 В, IC =0 | ≤ 1,0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 2 А, IB = 200 мА | ≤ 0,5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 2 А, IB = 200 мА | ≤ 2,0 |
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 100 мкА, IE = 0 | ˃ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 1 мА, IB = 0 | ˃ 30 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 100 мкА, IC = 0 | ˃ 5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 2 В, IC = 0,02 А | ≥ 30 |
| hFE (2) | UCE = 2 В, IC = 1,0 А | от 100 до 400 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 5 В, IC = 0,1 мА | 80 |
| Выходная емкость, pF | CC | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 45 |
٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.
Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.
Классификация
Классификация транзисторов по группам по величине статического коэффициента усиления hFE при поставках.
| Группа по величине hFE | Q | P | E |
|---|---|---|---|
| Значение hFE в пределах группы | от 100 до 200 | от 160 до 320 | от 200 до 400 |
Модификации и группы транзистора B772
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| 2SB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 40 | 55 | 160 | |
| BTB772ST3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 2 | 150 | 80 | 55 | 180 | |
| BTB772T3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | |
| CSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| CSB772 (P, Q, R, E) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 200 | |
| FTB772 | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| KSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| KSB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| KTB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| PMB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| ST2S772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| TSB772CK | 10,0 (1,0) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | |
| B772C | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| B772P | 15,0 (1,25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | |
| HSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | |
| 2SB772B | 25,0 (2,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| 2SB772I | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | |
| B772PC | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | |
| BTB772I3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | |
| WTP772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | |
| 2SB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| B772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| BTB772AJ3 | 15,0 (1,0) | 50 | 30 | 7 | 3 | 150 | 190 | 33 | 180 | |
| BTB772J3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | |
| FTB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| GSTD772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | |
| ST2SB772R | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 100 | |
| B772M | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| 2SB772A | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| 2SB772GP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | |
| ZX5T250 | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | |
| 2SB772S | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | |
| ALJB772 | (1) | 40 | 30 | 6 | 1.5 | 150 | 100 | — | 200 | |
| B772S | (0.625) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | |
| BTB772SA3 | (0.75) | 50 | 50 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | |
| GSTS772 | (0.625) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | |
| HB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | |
| HSB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | |
| TSB772SCT | (0.625) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | |
| 2SB772L | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| 2SB772M | (0.35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | |
| B772SS | 10,0 (0,35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | |
| 2SB772N | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | |
| 2SB772ZGP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 |
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус | Примеча-ние |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 | |
| (2)КТ914А | 7 | 65 | 65 | 4 | 0,8 | 150 | 350 | 12 | — | — | |
| (2)КТ932А/Б/В | 20 | 80/60/40 | 4,5 | 2 | 150 | 100 | 300 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| (2)КТ933А/Б | 5 | 80/60 | 4,5 | 0,5 | 150 | 75 | 100 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| КТ973А/Б/В/Г | 8 | 60/45/60/60 | 5 | 2 | 150 | — | — | от 750 до 5000 | — | ||
| КТ974А/Б/В | 5 | 80/60/50 | 3 | 2 | 150 | 450 | 80 | от 10 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SA1359 (O, Y) | 10,0 (1,0) | 40 | 40 | 5 | 3 | 150 | 100 | 35 | 70 | TO-126 |
| 2SB843 | 10,0 (1,0) | 50 | 40 | 6 | 5 | 175 | — | — | 90 | TO-126 |
| BTB1424AD3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| BTB1424AT3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| H772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| HT772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| KSH772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2SB772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| 2SA1761 | (0,9) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 100 | — | 120 | TO-92 |
| 2SA3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| 2SB985 (R, S, T, U) | (1) | 60 | 60 | 6 | 3 | 165 | 150 | — | 280 | TO-92 |
| BR3CG3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| KTB985 | (1) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 150 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX949 | (1,2) | 50 | 30 | 6 | 4,5 | 200 | 120 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX951 | (1,2) | 100 | 60 | 6 | 4 | 200 | — | 100 | TO-92 | |
| ZTX953 | (1,2) | 140 | 100 | 6 | 3,5 | 200 | 125 | — | 100 | TO-92 |
| 2SA2039-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 5 | 150 | 360 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SA2126-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 390 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SAR573D | 10 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 300 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTA2039J3 | 15 | 60 | 50 | 6 | 5 | 150 | 150 | 42 | 200 | TO-252 |
| BTB1184J3 | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTB1184J3S | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 270 | TO-252 |
| BTB9435J3 | 10 | 40 | 32 | 6 | 3 | 150 | 180 | 20 | 180 | TO-252 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при разных токах базы IB управления.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора fT при изменении коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и токе базы IB = 8 мА.
Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) CC от напряжения коллектор-база UCB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера IE = 0.
Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности PC при различных температурах корпуса транзистора TC.
Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока IC при изменении температуры корпуса TC и при двух различных условиях:
Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.
Предельный коллекторный ток в импульсном режиме IC(max) Pulse и предельный постоянный ток IC(max) DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.
Предельное напряжение коллектор-эмиттер UCE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.
Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).
