Транзистор d458 чем заменить
Наименование прибора: AOD458
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 58 ns
Выходная емкость (Cd): 104 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
AOD458 Datasheet (PDF)
0.1. aod458.pdf Size:261K _aosemi
AOD458250V,14A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD458 has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high 300V@150 VDSlevels of performance and robustness in popular AC-DC 14A ID (at VGS=10V)applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along
0.2. aod458.pdf Size:265K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD458FEATURESDrain Current I = 14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
9.1. aod456a.pdf Size:193K _aosemi
AOD456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD456 uses advanced trench technology and VDS (V) = 25Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 50A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)
9.2. aod450.pdf Size:242K _aosemi
AOD450200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS200VThe AOD450 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 3.8AThis device is suitable for use in inverter, load switching RDS(ON) (at VGS=10V)
9.3. aod454.pdf Size:200K _aosemi
AOD454N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD454 uses advanced trench technology and VDS (V) = 40Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 12 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)
9.4. aod456.pdf Size:193K _aosemi
AOD456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD456 uses advanced trench technology and VDS (V) = 25Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 50A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)
9.5. aod454a.pdf Size:193K _aosemi
AOD454AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD454A uses advanced trench technology and VDS (V) = 40Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 20A (VGS = 10V)charge. With the excellent thermal resistance of theRDS(ON)
9.6. aod4504.pdf Size:285K _aosemi
AOD4504200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS200VThe AOD4504 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 6Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
9.7. aod452a.pdf Size:153K _aosemi
AOD452AN-Channel SDMOSTM POWER TransistorGeneral Description FeaturesVDS (V) = 25VThe AOD452A is fabricated with SDMOSTM trench (VGS = 10V)technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON)
9.8. aod450.pdf Size:265K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD450FEATURESDrain Current I = 3.8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
9.9. aod456.pdf Size:265K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD456FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 25V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a
9.10. aod454a.pdf Size:265K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD454AFEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =30m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a
9.11. aod4504.pdf Size:265K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4504FEATURESDrain Current I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a
переделка китайского блока питания
Давным давно, приобрел я с рук сие чудо. Блок питания с регулировкой тока и напряжения. до 5 ампер и до 30 вольт.
Примерно через пол года блок навернулся, и стал выдавать на выходе максимум, что может. Разборка показала следующие конструктивные недоработки.
1- в роли регулирующего элемента применялись 2 транзистора включенных в параллель, без выравнивающих сопротивлений.
2- сами транзисторы крепились к радиатору через толстые слюдяные прокладки без термопасты.
3- радиатор представлял из себя алюминиевую пластину толщиной всего 2 мм, без отверстий стоявшую поперек
корпуса, тем самым полностью перекрывающую сквозное вентилирование и охлаждение компонентов.
Собственно это и привело к перегреву одного транзистора и его пробою. В тот момент мне блок нужен был срочно, поэтому я просто выкинул пробитый транзистор, а радиатор заменил на компьютерный. Думал, что на первое время так сойдет а потом переделаю.
через 5 лет наступило это самое «потом». Я попытался зарядить автомобильный аккумулятор, и бедолага транзистор не вывез максимального тока больше 20 минут. Было решено сделать максимально «круто». Вместо родных транзисторов я решил поставить N3055 в железных корпусах, т.к. они обладали повышенной мощностью.
В роли радиатора я применил массивную медную пластину, толщиной 4 мм. В пластине были два больших отверстия, а сама пластина была меньше по размеру, чем поперечное сечение корпуса, и не препятствовала циркуляции воздуха.
Транзисторы на радиатор крепились без изолирующей прокладки, а только на термопасте, что способствовало лучшему охлаждению. Нужно лишь было изолировать сам радиатор от корпуса. На этот же радиатор разместил диодный мост на 20 ампер, вместо старого пятиамперного, и пара выравнивающих резисторов по 0.1ом.
Токоизмерительный резистор на 0.1 ом был заменен на два параллельно включенных по 0.2 ома, для меньшего нагрева.
Как же я сочувствую тем, кто сам собирает высококачественные усилители звука. Ведь именно на этих транзисторах они делают выходные каскады. Как же сложно им найти качественный оригинал, транзисторы настолько популярны, что их штампуют все, кому не лень.
Опять еду в магазин, покупаю транзисторы, что стояли изначально. D1047. Радиатор решил переделать, взял медный, с толщиной основания 6 мм, и тонкими, частыми ребрами.
Аналоги и замена зарубежных транзисторов
В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.
Замена импортных транзисторов отечественными
| Аналоги и возможные замены | |||
| Тип | Аналог | Возможная замена | Примечания |
| MJEF34 | КТ816 | Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А | |
| TIP42 | КТ816 | ||
| 2SK58 | КПС315А, Б | ||
| 2N5911 | Обычные ПТ | ||
| U441 | КП303Д, Е; КП307Г, Д; КПЗ12; КП323; КП329; КП341; КП364Д, Е | ||
| U444 | КП303Д, Е; КП307Г, Д; КП312; КП323, КП329; КП341; КП364Д, Е | ||
| MPF102 | КП303Д, Е | В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ | |
| MPS3866 | КТ368 | В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ | |
| 25139 | КП327А,В | КП346А-9; КП382А | |
| 1N754 | КС162 | ||
| 1N757A | КС182 | ||
| 2N3563 | КТ6113; КТ375; КТ345; КТ315; КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3565 | КТ6113; КТ375; КТ345; КТ315; КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3569 | КТ6113; КТ375; КТ345; КТ315; КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| BFR90 | КТ3198А | КТ371А, КТ3190А | |
| MPS3866 | КТ939А | ||
| MRF557 | КТ948; КТ996Б-2; КТ9141; КТ9143; КТ919; КТ938 | ||
| MRF837 | КТ634; КТ640; КТ657Б-2 | ||
| MV2101 | KB102; KB107А,В | ||
| 2N4401 | КТ6103 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| ВС549С | КТ3102 | ||
| ВС557В | KТ3107 | ||
| BD139 | КТ815 | ||
| BD140 | КТ814 | ||
| 2N5771 | КТ363АМ | ||
| ВС548 | КТ3102 | ||
| ВС557 | КТ3107 | ||
| TIP111 | КТ716 | ||
| TIP116 | КТ852 | ||
| TIP33B | КТ865 | ||
| TIP34B | КТ864 | ||
| 2SC2092 | КТ981, КТ955А, КТ9166А, КТ9120 | ||
| MRF475 | КТ981, КТ955А, КТ9166А, КТ9120 | ||
| 40673 | КП350, КП306, КП327, КП347, КП382 | ||
| 2N4124 | КТ3102Д | ||
| J309 | КП303Д, Е; КП307Г, Д; КПЗ12, КП323; КП329; КП341; КП364Д, Е | ||
| MPS2907 | КТ313 | ||
| 2N3414 | КТ645 | ||
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| 3055Т | КТ8150А | ||
| ВС517 | КТ972 | ||
| IRF9Z30 | КП944 | ||
| TIP125 | КТ853, КТ8115 | ||
| BS250P | КП944 | ||
| 2N3391A | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| BC184L | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| BUZ11 | КП150 | ||
| IRFL9110 | КП944 | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС109С | КТ342 | ||
| ВС237 | КТ3102 | ||
| ВС547 | КТЗ102, КТ645А | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| MPS А18 | КТ342Б, Д | ||
| 2N3704 | КТ685 | ||
| 2N4393 | КП302ГМ | ||
| 2N5401 | КТ6116А | ||
| ВС487 | КТ342Б, Д; КТ630Е | ||
| IRFZ44 | КП723А | ||
| MPS2907 | КТ313 | КТ3107 | |
| MPSА14 | КТ685 | ||
| MPSA64 | КТ973 | ||
| 2N2222 | КТ3117Б | КТ315 | |
| 2N3904 | КТ6137А | КТ815 | |
| 2N3906 | КТ6136А | ||
| ECG-187 | ГТ906А | ||
| FPT-100 | фототранзистор | ||
| HRF-511 | КП904 | ||
| TIL 414 | фототранзистор | ||
Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com
Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:
Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.
Максимальные параметры транзистора из даташита:
Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:
После отправки формы было получено 15 результатов:
| Type | Struct | Uce | Ueb | Ic | Ft | Hfe | Caps |
| 2SC3224 | NPN | 30 | 120 | TO3 | |||
| 2SD1287 | NPN | 30 | 300 | TO3 | |||
| 2SD434 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD435 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD436 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD815 | NPN | 30 | 300 | TO3A1 | |||
| 2T7067A | NPN | 20 | TO3 | ||||
| 2T7067B | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET10015 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10016 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10020 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET10021 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET6060 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6061 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6062 | NPN | 20 | TO3 |
В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).
Транзистор d458 чем заменить
добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание
G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более
Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.
. | JMCJ писал: |
| Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N |
Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще 
| Сообщение Администрации : | ||||||||||||
 Удалено | Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5 | Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе |
мне надо найти аналог | Что на них написано? | я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например) | Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды. | IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: Заранее Всем спасибо за содействие![/b] | Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер? | Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты | Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: |
Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb
Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?
Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы
Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб
исток обычно справа снизу если читать надпись
Но и это тоже дня через два закончилосью
Помогите определить что это и каковы его функции
Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23
Помогите найти аналог транзисторов
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24
Перестал работать мотор отопителя, замена полевого транзистора
Еще об одной распространенной болячке, относящейся не только к Renault, хотя, и не только к Рено. Данная проблема знакома и Ford, Mazda, Lexus, Peugoet, Citroen, Nissan, Opel, и т.п
Симптомы:
— Вентилятор климата не реагирует на регулятор оборотов
— Вентилятор не работает ни в каких режимах
Причины:
Выход из строя резистор печки (блок управления).
Причины выхода из строя полевого транзистора:
Чаще всего в блоке накрывается мощный полевой транзистор, реже горит сама плата, от плохого контакта с источником питания.
Полевой транзистор при работе вырабатывает большое количество тепла (особенно на низких оборотах), расписывать про него много не буду, поэтому стоит большой радиатор. А вот за отдачу тепла от транзистора к радиатору, отвечает термопаста и пружинная скоба.
В оригинале полевых транзисторов, при снятии скобы, можно увидеть страну сборки и даты выпуска, стоят транзисторы Fairchild, ST Morocco NJ08AD, 75344G, W80NF55-08, H80NF55-08 и т.п.
