Транзистор k13a65u чем заменить

Транзистор k13a65u чем заменить

Наименование прибора: TK13A65U

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 2300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm

TK13A65U Datasheet (PDF)

0.1. tk13a65u.pdf Size:191K _toshiba

TK13A65U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK13A65U Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.32 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement-mod

0.2. tk13a65u.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK13A65UITK13A65UFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.32 (typ.)Low leakage current: IDSS = 100A (max) (VDS = 650 V)Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSw

7.1. tk13a65d.pdf Size:226K _toshiba

TK13A65DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK13A65DTK13A65DTK13A65DTK13A65D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.4 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

7.2. tk13a65d.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK13A65DITK13A65DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) = 0.4 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Источник

Перестал работать мотор отопителя, замена полевого транзистора

Еще об одной распространенной болячке, относящейся не только к Renault, хотя, и не только к Рено. Данная проблема знакома и Ford, Mazda, Lexus, Peugoet, Citroen, Nissan, Opel, и т.п
Симптомы:
— Вентилятор климата не реагирует на регулятор оборотов

— Вентилятор не работает ни в каких режимах

Причины:
Выход из строя резистор печки (блок управления).

Причины выхода из строя полевого транзистора:
Чаще всего в блоке накрывается мощный полевой транзистор, реже горит сама плата, от плохого контакта с источником питания.
Полевой транзистор при работе вырабатывает большое количество тепла (особенно на низких оборотах), расписывать про него много не буду, поэтому стоит большой радиатор. А вот за отдачу тепла от транзистора к радиатору, отвечает термопаста и пружинная скоба.

В оригинале полевых транзисторов, при снятии скобы, можно увидеть страну сборки и даты выпуска, стоят транзисторы Fairchild, ST Morocco NJ08AD, 75344G, W80NF55-08, H80NF55-08 и т.п.

Источник

Транзистор k13a65u чем заменить

добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание

G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более

Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).

Материнская плата Gigabyte S775 P35 FSB1333
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна

Можно, если транзисторы одинаковые и из одной партии, в схемотехнике компьютеров нередко это используется, как в линейных так и в импульсных источниках.
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.

Спасибо, просто вариантов быстро купить небыло, пришлось импровизировать, уже стоят родные

Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-http://www.youtube.com/watch?v=x5oG6XOVBKs
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.

Скорее всего так и было. только ГП греется не цензурно сильно,он крякнул.

Я профи ремонтом не занимаюсь,друг б/у торгует,вот и чиню что могу,но полевик у другой видюхи я вычичлил как на видео,поставил со старой видеокар.,но наверное драйвер(GP5201BQ,если правильно прочитал,видно плохо) не фурычит, а может он и спалил этот полевик(090H03L),поменял на APM 2512N(с другой видюхи),не стартует мамка.Только опыт в карман положу,а видюхю в коробку .

Читайте также:  Как называется бородка у петуха

JMCJ писал:
Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N

Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще

Красота. А чё тогда не КТ315А туда поставить? Вместо 80А STripFET™ III Power MOSFET? Вот после таких вот *лять ко мне и приходят ужаренные ноуты и видеокарты, с жуками вместо smd фузов, пробитыми в дыру полевиками и ковырянные 25Вт паяльником 12ти слойные платы.

Ещё вопрос на засыпку,звонятся на коротко D и S в мосфетах на этой видюхе FORCE 30 HD 4830, I же в схеме идёт через ГПу по питанию,значит должно быть сопротивление,а тестер пищит(я полевики не выпаивал),значит пробит(прогорел) канал?Или в схеме так и должно,хотя два из них(9шт) не пищит тестер..Я думаю что им усё уже.

Сообщение Администрации :
Удалено

Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5

Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе

павлик 22 писал:
Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе

мне надо найти аналог

Что на них написано?

я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например)

Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался?

стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды.

IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог

ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31

LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог

ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32

FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог

Элемент U19. Маркировка:
J B-
DEQ34
фото микрухи:

Заранее Всем спасибо за содействие![/b]

Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер?

Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты

Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума.

Элемент U19. Маркировка:
J B-
DEQ34
фото микрухи:

Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb

Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3

Это RT9166 SOT-89 2.5V 0.3A Ultra-Fast Transient Response LDO Regulator

Всем привет!
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?

Добрый день подскажите аналог транзистора 70r900pek6450ygp.

Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы

Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.

musik,
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб

исток обычно справа снизу если читать надпись

Я сослепу вместо «m/b ws» посадил «power led» и получил то что получил,но после правильной установки концов все равно все работало еще дня три,потом кнопка включения перестала реагировать но и при этом я путем легкого шевеления остатков обгоревшего транзистора запускал ПК
Но и это тоже дня через два закончилосью

Помогите определить что это и каковы его функции

Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор

Всех с новым годом.
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23

Помогите найти аналог транзисторов

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24

чем заменить 9412bgm

Источник

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора TK13A65U.

Высказывания:
Рукописи не горят.

Основные параметры полевого n-канального транзистора TK13A65U

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВт Uds max, В Udg max, В Ugs max, В Id max, мА Tj max, °C Fr (T on/of) Ciss tip, пФ Rds, Ом
40000 650 5 13000 950 0,38

Производитель: Toshiba
Сфера применения:
Популярность: 558
Дополнительные параметры транзистора TK13A65U: Корпус: TO-220F; Rth: 0°C; Qg: 17нКл;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора TK13A65U

Общий вид транзистора TK13A65U. Цоколевка транзистора TK13A65U.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора TK13A65U.


Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Справочник по MOSFET транзисторам

N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

Корпуса для поверхностного монтажа

20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23

30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23

30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23

30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23

60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23

60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23

100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable

25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg

30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg

30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg

30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg

30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg

30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg

30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8

25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8

20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6

30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8

30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8

30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8

30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8

30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8

30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8

30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8

30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6

40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8

60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8

80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8

80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8

100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8

100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8

150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8

150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8

200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20

25 В

20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6

20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6

25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6

25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6

25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

30 В

30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6

30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6

30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6

40 В

40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6

40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6

40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6

60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6

100 В

100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6

100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6

150 В

150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6

150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6

200 В

200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6

200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6

250 В

250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6

25 В

25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can

25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can

25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can

25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can

25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can

25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can

25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can

25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can

25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can

25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can

25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can

30 В

30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can

30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can

30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual

30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual

Источник

Читайте также:  какой пупок нельзя прокалывать
Портал про кино и шоу-биз